- 所在梯隊：半導體物理與器件
- 辦公地點：化生樓405
- 本科生課程：《半導體物理》、《半導體器件與工藝》
- 研究生課程：《半導體器件物理》
- 研究領域：III族氮化物半導體薄膜與低維結構的原子層外延生長，新型氮化鎵/二維體系異質結熱電子晶體管，原子層沉積在太陽能電池、儲能電池中的應用，發光二極管芯片設計與計算，薄膜物性表征與分析
教育經歷
2002年6月畢業于中國科學院半導體研究所，獲博士學位。
工作經歷
博士畢業后工作于中國科學院物理研究所、源順國際有限公司(北京)和中國石油大學(北京)，曾前往德國、智利及臺灣從事技術培訓和博士后方面的研究工作。2009年3月至2014年3月，工作于中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，任研究員、博士生導師。2014年起加盟永利集團3044am官方入口物理系，任教授、博士生導師。一直從事氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）和砷化鎵（GaAs）等半導體薄膜和量子阱（QW）結構的生長、物理性能分析與光電器件（發光二極管和太陽能電池）方面的研究。目前正在進行III族氮化物原子層外延生長、新型GaN/二維體系熱電子晶體管以及原子層沉積應用方面等的研究工作。
科研業績
在InGaN基半導體結構表征、太陽能電池器件物理和薄膜外延生長方面開展了具有特色并受到國際同行關注的研究工作。GaN馬賽克扭轉角測量方法受到英國劍橋大學在物理類綜合期刊Rep. Prog. Phys.上的多次評價，薄膜晶格常數測量方法被實際應用到研究工作并寫入科學出版社專著章節，InGaN基太陽能電池受到2014年諾貝爾物理獎獲得者S.Nakamura教授研究組的多次引用。截止目前，已在Small、APL、IEEE Electron. Dev. Lett.、Chin. Phys. B等國內外知名期刊上發表論文近八十篇，申請專利二十項（十一項授權）。曾擔任Advances in Mater. Sci. & Eng.期刊客座編輯，是Solar Energy Materials & Solar Cells, J. Appl. Phys., Semi. Sci. & Technol., App. Phys. A, J. Phys. D: Appl. Phys., Mater. Sci. & Eng., Thin Solid Films, Chin. Phys. B, 《半導體學報》等國內外期刊的審稿人。現擔任中國電工技術學會半導體光源系統專業委員會委員。主持、參與的項目包括國家重點基礎研究計劃、國家自然科學基金、上海空間電源研究所、蘇州市國際合作、與日本索尼公司國際合作、橫向項目等。
獲得獎勵
江蘇省科學技術三等獎、中國科學院優秀共產黨員、蘇州市高層次緊缺人才、永利集團3044am官方入口高層次人才等。
